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传三星14纳米NAND Flash今年上半年量产
来源:晨歌电子  发表时间:2016/1/3

谁说 14 纳米的闪存不可行?南韩两家内存厂前仆后继挑战这项不可能的任务有成,其中三星已经准备好转入量产,而 SK 海力士预计 2016 年也将突破瓶颈。

南韩媒体ETnews引述业内消息报导指出,三星预计 2016 年上半年开始量产14纳米NAND闪存,且1月底在旧金山举行的国际固态电路论坛(ISSCC)上就有成品可先行展出。

与16纳米相比,14 纳米浮动闸极(floating gate)面积减少12.5%,这意谓着每片晶圆的内存芯片产出将增加,而平均生产成本则降低,使得产品更具价格竞争力。除了三星之外,海力士从年初时也下决心着手开发14纳米技术,研发工作预估将在明年上半年完成,年末应可顺利进入量产。

闪存是将电子包入浮动闸极,藉以此永久储存信息。业界原认为 15~16 纳米是内存维缩极限的原因在于,浮动闸极面积会随维缩制程缩小,面积太小则将导致电子储存空间不足。不过,三星似乎已想到方法克服这项障碍。

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